مقحل حقلي موصول

ملف:Esquema interno del transistor JFET.svg

تركيب الترانزيستور نوع P : المصدر S ،// والمصب D ،// والبوابة G.

الطبقة العازلة لتزانزستور المتأثر بالحقل junction gate field-effect transist وهو شكل بسيط من ترانزستور أحادي القطب ، يوصل أحياناً بجهد كهربائي على البوابة G ، وبواسطة ذلك الجهد يمكن التحكم في التيار الكهربي بين المنبع (مصدر)Source والمصب (المخرج) Drain.

ويوجد نوعان من هذا الترانزيستور :

1-الناقل n-Kanal n 2 -والناقل p-Kanal p

تكوين الترانزيستور JFET

ملف:JFET N-dep symbol.svg

رمز الترانزيستور نوع n-type JFET

ملف:JFET P-dep symbol.svg

رمز الترانزيستور نوع p-type JFET

يتكون الترانزستور من عدة طبقات لمواد مختلفة . أولهم مادة شبه موصلة مطعمة بمادة تحمل شحنات كهربية موجبة وتسمى نوع p-type ، أو تكون مطعمة بمادة غنية بالإلكترونات (أي شحنات سالبة) ويسمى هذا النوع n-type. ويوصل طرفي الناقل (القناة) بمصدر للجهد من ناحية ويشكل الطرف الأخر المصب . ويوجد بين الطرفين مادة شبه موصلة أيضا مطعمة بتشويب عكسي وهي تمثل بوابة للتحكم في التيار المار في الترانزيستور من المصدر إلى المصب . بذلك يشكل الترانزيستور وصلة تسمى P-N junction. وتكون التوصيلات الخارجية مقاومات أومية.

اقرأ أيضا

• ترانزيستور

ca:JFET de:Sperrschicht-Feldeffekttransistor JFET]] es:JFET et:Pn-siirdega väljatransistor fi:JFET fr:Junction Field Effect Transistor id:Transistor efek medan gerbang pertemuan it:JFET pl:Tranzystor polowy złączowy tr:Junction Field Effect Transistor zh:结型场效应管