سيليسيد النحاس
سيليسيد النحاس[١] | |
---|---|
الاسم النظامي | سيليسيد النحاس |
معلومات عامة | |
رقم الكاس | |
خصائص | |
صيغة جزيئية | Cu3Si |
الكتلة المولية | 218.72 غ/مول |
المظهر | مسحوق لونه فضي |
نقطة الانصهار |
825 °س |
الذوبانية في الماء | غير منحل |
مخاطر | |
ترميز المخاطر | مادة مهيّجة Xi
|
توصيف المخاطر | |
تحذيرات وقائية | |
في حال عدم ذكر الشروط فإن
البيانات الواردة أعلاه مقاسة في الشروط النظامية ومدونة حسب النظام الدولي للوحدات |
سيليسيد النحاس مركب كيميائي له الصيغة Cu3Si، يتألف من عنصري السيليكون (السيليسيوم) والنحاس ، ويكون على شكل مسحوق بلوري فضي.
الخواص
- لا ينحل سيليسيد النحاس في الماء.
- يؤدي تشكيل طبقة من سيليسيد النحاس إلى إعاقة انتشار النحاس في السيليكون وذلك في مجال الأبحاث في علم المواد. [٢]
التحضير
يحضر سيليسيد النحاس المستخدم في صناعة أنصاف النواقل وذلك عن طريق المعالجة الحرارية السريعة Rapid thermal processing لفلز النحاس على ركازة من السيليكون، حيث يبدأ حدوث انتشار عند درجات حرارة تتراوح بين 250–300 °س. إن الاستمرار بعملية التخمير الحراري Annealing يعطي الشكل النهائي للسيليسيد. [٣]
وقد تمكنت مجموعة بحث مؤخراً من تحضير بلورات نانوية من سيليسيد النحاس داخل أسلاك نانوية nanowires من السيليكون، مما يزيد من ناقليتها الكهربائية. [٤]
الاستخدامات
- تستخدم رقائق سيليسيد النحاس ضمن السيليسيدات الفلزية الأخرى في مجال الإلكترونيات. [٥]
- تستخدم صفائح الغرافيت المغطاة بسيليسيد النحاس كمصعد في بطاريات الليثيوم الثانوية lithium secondary batteries (القابلة للشحن). [٦]
المراجع
- ^ صفحة البيانات الكيميائية من alfa
- ^ Lee, C. S.; Gong, H.; Liu, R.; Wee, A. T. S.; Cha, C. L.; See, A.; Chan, L. (2001). "Study of copper silicide retardation effects on copper diffusion in silicon". Journal of Applied Physics 90 (8): 3822-3824. doi: .
- ^ M. Setton, J. Van der Spiegel, B. Rothman (1990). "Copper silicide formation by rapid thermal processing and induced room‐temperature Si oxide growth". Applied Physics Letters 57 (4): 357 - 359. doi: .
- ^ Derek C. Johnson, James M. Mosby, Shannon C. Riha, Amy L. Prieto (2010). "Synthesis of copper silicide nanocrystallites embedded in silicon nanowires for enhanced transport properties". J. Mater. Chem. 20: 1993 - 1998. doi: .
- ^ E. A. Turenko, O. B. Yatsenko (2002). "Plasma Synthesis of Thin Copper Silicide Films on Single-Crystal Silicon". Inorganic Materials 38 (3): 220-223. doi: .
- ^ In-Chul Kim, Dongjin Byun, Sangwha Lee, Joong Kee Lee (2006). "Electrochemical characteristics of copper silicide-coated graphite as an anode material of lithium secondary batteries". Electrochimica Acta 52 (4): 1532-1537. doi: .
Copper silicide]]